2N706

Allgemein
Type 2N 706
Hersteller (abgekürzte Darstellung) Aeg,Fer,Itt,Mot,Nsc,Ray,Tho,Sgs,Fch,Sty,Tix,Val
Material und Polarität Si-N
Anwendung S

Gehäuse
Pin1: Emitter
Pin2: Basis
Pin3: Kollektor
Kollektor + Gehäuse verbunden
Grenzdaten
25V
20V
3V
200mA
0,3W
25°C
1W
25°C
500°C/W
150°C/W
175°C
B(hFE) 40>20
UCE 1V
IC 10mA
fT 400MHz
UCE 15V
IE 10mA
ton <40ns
IB 1mA
IC 3mA
toff <75ns
IB 1mA
IC 3mA
UCEsat 0,6V
IC 10mA
IB 1mA
UBEsat 0,9V
IB 1mA
IC 10mA
ICB0 0,5µA
UCB 15V
TU 25°C
ICB0 30µA
UCB 15V
TU 150°C
IEB0 10µA
UEB max
TU 25°C
CCB0 5pF
UCB 10V

Bauteiledatenbanken • SMD-Stempelcodes • Abkürzungen • Vergleichsliste: Transistoren der Ex-DDR mit anderen Typen  
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