3N140

Allgemein

Type 3N 140
Hersteller (abgekürzte Darstellung) Gie, Mot, Rca
Material und Polarität MOS-N-dpl
Anwendung Dual-Gate FM/VHF-V

Gehäuse

t+
Grenzdaten
+20V
+20V
-8..V
..+20V

50mA

0,4W
25°C

Rthu 375°C/W

Tj 175°C

Idss 5..30mA
UDS x)14V

UP a)-0,5..-4V
UDS x)16V
ID 200µA

UP b)-0,5..-4V
ID 200µA
UDS v)16V

|Yfs| 6..18mS
ID 10m
f 1kHz
UDS x)14V

F <4,5dB
UDS 15V

Vp 18dB
UDS 15V

IGSS -1nA
UGS -20V

Cis 5,5pF
UDS 13V

Crs 0,02pF
UDS 13V

Bauteiledatenbanken SMD-Stempelcodes Abkürzungen Vergleichsliste: Transistoren der Ex-DDR mit anderen Typen  
Drucker-, TV-, Rdf- & VCR- Serviceunterlagen
RF-Seminare AutoCad-Blöcke AutoCad-Datenbank Beamersteuerung Inhaltsübersicht Kontakt


zurück