BUZ 24

Allgemein

Type BUZ 24
Hersteller (abgekürzte Darstellung) Phi,Sgs,Sie,Val
Material und Polarität MOS-N-enh
Anwendung V-MOS, L

Anschlussbelegung / Gehäuse

Pin1: Source
Pin2: Gate
Pin3: Drain
Drain + Gehäuse verbunden
Grenzdaten
100V
100V
±20V

32A

128A

125W
TG 25°C

RthG 1°C/W

Rthu 35°C/W

Tj 150°C

Idss <1µ
UDS 100V

rds(on) <0,06Ohm
UGS 10V

ID 20A

Uth 2,1..4V
ID 1m
UDS =UGSV

gfs >10S
ID 20AµA

ton <170ns
ID 3AµA
UGS 10V

toff <480ns
UGS 10V
ID 3AµA

IGSS 100nA
UGS 20V

Cis <1850pF
UDS 25V

Crs <370pF
UDS 25V

Cos <700pF
UDS 25V

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