BUZ 50

Allgemein
Type BUZ 50
Hersteller (abgekürzte Darstellung) Phi, Sie,,Val
Material und Polarität MOS-N-enh
Anwendung V-MOS, L

Anschlussbelegung / Gehäuse
Pin1: Gate
Pin2: Drain
Pin3: Source
Drain + Gehäuse verbunden
Grenzdaten
1000V
1000V
±20V
2,8A
62,5W
TG 25°C
RthG 2°C/W
Tj 150°C
Idss <0,25mA
UDS 1000V
rds(on) <3,5Ohm
UGS 10V
ID 1,4A
Uth 2,7V
ID 10m
UDS =UGSV
gfs 1S
ID 1,4AµA
UDS 25V
IGSS 100nA
UGS 20V
Cis 1600pF
UDS 25V
Crs 30pF
UDS 25V
Cos 90pF
UDS 25V

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