BUZ 54

Allgemein

Type BUZ 54
Hersteller (abgekürzte Darstellung) Phi, Sie,Val
Material und Polarität MOS-N-enh
Anwendung V-MOS, L

Anschlussbelegung / Gehäuse

Pin1: Source
Pin2: Gate
Pin3: Drain
Drain + Gehäuse verbunden
Grenzdaten
1000V
1000V
±20V

5,1A

20A

125W
TG 25°C

RthG 1°C/W

Rthu 35°C/W

Tj 150°C

Idss <1µ
UDS 1000V

rds(on) <2Ohm
UGS 10V

ID 2,5A

Uth 2,1..4V
ID 1m
UDS =UGSV

gfs 2>1,4S
ID 3,2AµA

ton <205ns
ID 2,5AµA
UGS 10V

toff <690ns
UGS 10V
ID 2,5AµA

IGSS 100nA
UGS 20V

Cis <2200pF
UDS 25V

Crs <140pF
UDS 25V

Cos <300pF
UDS 25V

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